科磊申请四硼酸锶晶体的生长专利可生长出具有高光学质量的大尺寸晶体

文章作者：小编浏览次数：发表时间：2026-01-31 21:52:20

　　国家知识产权局信息显示，科磊股份有限公司申请一项名为“四硼酸锶晶体的生长”的专利，公开号CN121420097A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种用于生长四硼酸锶(SrB4O7)晶体的方法，其包括：提供包含SrB4O7的熔体；将籽晶与熔体接触；以及从熔体生长SrB4O7晶体。本发明还提供通过所述方法生长的SrB4O7晶体。本发明的方法可生长出具有高光学质量的大尺寸晶体。